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分立半导体
TK12A80W,S4X参考图片

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TK12A80W,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W
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库存:11,474(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.1255
24.1255
10
¥19.3682
193.682
100
¥17.6732
1767.32
250
¥15.9782
3994.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220SIS-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
11.5 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
系列
TK12A80W
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
70 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch FET 600V 2.5s IDSS 10 uA
1:¥11.0627
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:查看
参考库存:3758
分立半导体
稳压二极管 24 Volt 0.8 Watt 5%
1:¥3.2318
10:¥2.5086
100:¥1.8645
500:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.1865
参考库存:150905
分立半导体
SCR High surge voltage 1.25 A SCR for circuit breaker
1:¥4.9946
10:¥4.1245
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
参考库存:52352
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Ct Low Sat
1:¥6.9947
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
参考库存:45309
分立半导体
1:¥3.2318
10:¥2.9154
100:¥1.921
1,000:¥0.64523
1,800:¥0.52997
参考库存:42161
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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