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分立半导体
SIHP38N60EF-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SIHP38N60EF-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
  • 数据手册下载
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库存:6,301(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥54.3982
54.3982
10
¥49.0194
490.194
25
¥44.6463
1116.1575
100
¥40.2619
4026.19
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
189 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
313 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
EF
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
13 S
下降时间
67 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
63 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
143 ns
典型接通延迟时间
35 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
PIN 二极管 Fast SMT MRI Protect PIN Diode 20ns
1:¥42.8722
10:¥34.4198
100:¥31.3462
250:¥28.3517
500:¥25.4363
1,000:¥21.4361
参考库存:18329
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1.0A SBR 40Vrrm 28Vr 0.5Vf 0.5mA 30A
1:¥3.1527
10:¥2.0114
100:¥0.86784
1,000:¥0.66896
5,000:¥0.50737
参考库存:288761
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3337
参考库存:6543
分立半导体
MOSFET N-Channel, 3.4mOhm 80V
1:¥19.5151
10:¥16.5997
100:¥13.221
250:¥13.221
500:¥11.526
参考库存:11445
分立半导体
MOSFET N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
1:¥7.7631
10:¥6.3732
100:¥4.8929
500:¥4.2149
3,000:¥4.2149
参考库存:33947
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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