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SQ2325ES-T1_GE3参考图片

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SQ2325ES-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥5.2206
5.2206
10
¥3.9889
39.889
100
¥2.9606
296.06
500
¥2.4295
1214.75
3,000
¥1.7176
5152.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
840 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2.2 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
42 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGT300DA170G
Microsemi
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,155.9787
参考库存:48300
T1451N52TOH
Infineon Technologies
分立半导体
SCR模块 NETZ-THYRISTOR PHASE CONTROL
1:¥11,922.6526
参考库存:7499
UD6KB100-BP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
桥式整流器 6A 1000Vr 760Vrms 1000V 1.0Vf 170A
1,500:¥2.4634
3,000:¥2.2261
6,000:¥2.0792
10,500:¥2.0453
25,500:¥2.0001
参考库存:48307
VS-50PFR120W
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 50 Amp 1200 Volt 830 Amp IFSM
1:¥49.0194
10:¥44.1039
50:¥40.1828
100:¥36.273
参考库存:48312
IPL60R210P6AUMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET LOW POWER PRICE/PERFORM
1:¥21.131
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5204
3,000:¥9.6841
6,000:查看
参考库存:22501

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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