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分立半导体
STGF10M65DF2参考图片

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STGF10M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
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库存：6,185(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.5262
15.5262
10
¥13.221
132.21
100
¥10.5316
1053.16
500
¥9.2208
4610.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
30 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGF10M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMSZ4682-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 2.7 Volt 0.5W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:43830
MMBZ4681-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 2.4 Volt 0.225W 5%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:43835
MMBZ4685-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 0.225W 5%
1:¥2.0792
10:¥1.4012
100:¥0.68365
500:¥0.58421
3,000:¥0.35369
6,000:查看
参考库存:43840
MMBZ5263B-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 56 Volt 0.225W 5%
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66896
500:¥0.56839
3,000:¥0.33787
6,000:查看
参考库存:43845
MMBZ4694-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 8.2 Volt 0.225W 5%
1:¥2.0792
10:¥1.4012
100:¥0.68365
500:¥0.58421
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:43850

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    50万现货SKU

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