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分立半导体
SIHP15N50E-GE3参考图片

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SIHP15N50E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
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库存:6,329(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.9048
16.9048
10
¥14.0572
140.572
100
¥10.9158
1091.58
500
¥9.5259
4762.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
14.5 A
Rds On-漏源导通电阻
243 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 40A 1000V SCR BRDG MODULE POWER
1:¥599.4311
10:¥570.4579
25:¥558.1635
50:¥544.9538
100:¥528.8852
参考库存:37474
分立半导体
双向可控硅 600V 12A 50-50-50mA
1:¥20.3626
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.30
1,000:¥9.2999
参考库存:37479
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP/ 45V/ 500mA
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:13513
分立半导体
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥8.4524
10:¥7.2207
100:¥5.537
500:¥4.8929
800:¥3.8646
参考库存:37486
分立半导体
SCR模块 1000 Volt 90 Amp
1:¥311.6653
5:¥303.3598
10:¥291.6078
参考库存:5745
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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