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分立半导体
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EFC3J018NUZTDG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
5,000
¥2.5538
12769
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WLCSP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
4.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
75 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
EFC3J018NUZ
晶体管类型
Dual N-Channel
商标
ON Semiconductor
下降时间
2800 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
890 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4100 ns
典型接通延迟时间
280 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD17579Q3A
Texas Instruments
分立半导体
MOSFET CSD17579Q3A 30 V 8-VSONP
1:¥4.9155
10:¥4.068
100:¥2.4747
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.6272
参考库存:100364
IRFU420APBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp
1:¥12.2153
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8591
1,000:¥5.6839
参考库存:15441
FDS5670
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET SO-8 N-CH 60V
1:¥12.6786
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.5371
1,000:¥6.2489
2,500:¥6.2489
参考库存:25118
IRFP054PBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥32.1146
10:¥25.7414
100:¥23.4362
500:¥18.984
1,000:¥15.9782
参考库存:6040
1N5825
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Power Schottky
1:¥418.6198
5:¥396.0311
10:¥391.4998
25:¥362.0746
参考库存:2282

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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  • 降低成本

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    科技智能大仓储

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