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分立半导体
CSD19502Q5BT参考图片

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CSD19502Q5BT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-Channel, 3.4mOhm 80V
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库存:11,445(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.5151
19.5151
10
¥16.5997
165.997
100
¥13.221
1322.1
250
¥13.221
3305.25
500
¥11.526
5763
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
195 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD19502Q5B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
88 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
134.700 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 650V 80A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥48.9516
10:¥41.6518
100:¥36.0357
250:¥34.1938
参考库存:6757
分立半导体
MOSFET 30V 3.9A Dual N-Channel
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥1.9775
参考库存:34584
分立半导体
MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
1:¥27.7415
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.3682
1,000:¥14.6787
2,000:查看
参考库存:8431
分立半导体
MOSFET SINGLE P-CHANNEL S08FL 60V 69A 1
1:¥15.7522
10:¥13.3679
100:¥10.6785
500:¥9.379
1,500:¥7.2433
4,500:查看
参考库存:58423
分立半导体
IGBT 晶体管 Auto 390V IGBT Clamped 300mJ EAS
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.831
2,500:¥7.5371
5,000:查看
参考库存:16425
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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