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分立半导体
IPD031N03LGBTMA1参考图片

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IPD031N03LGBTMA1

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库存:23,199(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.9664
596.64
500
¥5.2658
2632.9
2,500
¥3.6838
9209.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
3.1 mOhms
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
零件号别名
G IPD031N03L IPD31N3LGXT SP000236957
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR模块 1200 Volt 27 Amp 420 Amp IFSM
1:¥313.7332
5:¥305.3599
10:¥293.5288
参考库存:2016
分立半导体
MOSFET 500V 16.5A NCH
1:¥19.6733
10:¥16.6788
100:¥13.3679
500:¥11.6842
参考库存:3933
分立半导体
IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT
1:¥38.8042
10:¥33.0412
100:¥28.589
250:¥27.12
参考库存:2780
分立半导体
分立半导体模块 1000 Volt 100 Amp 2115 Amp IFSM
1:¥314.6598
5:¥306.2865
10:¥294.3763
参考库存:2062
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
参考库存:11914
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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