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分立半导体
FPF2C8P2NL07A参考图片

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FPF2C8P2NL07A

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库存:3,550(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥660.0556
660.0556
5
¥647.9194
3239.597
10
¥618.788
6187.88
25
¥598.1203
14953.0075
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.13 V, 2.49 V
在25 C的连续集电极电流
30 A, 50 A
栅极—射极漏泄电流
2 uA, 2 uA
Pd-功率耗散
135 W, 174 W
封装 / 箱体
F2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
系列
FPF2C8P2NL07A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
70
子类别
IGBTs
商标名
STEALTH
单位重量
45 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR
1:¥246.0462
5:¥234.9722
10:¥227.6724
25:¥209.163
参考库存:1823
分立半导体
MOSFET T6D3F 40V NFET
1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
1,500:¥12.2153
4,500:查看
参考库存:16840
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
2,500:¥3.5708
参考库存:51152
分立半导体
MOSFET PCH 1.8V Power MOSFE
1:¥3.2996
10:¥2.4747
100:¥1.3334
1,000:¥1.00683
3,000:¥0.86784
9,000:¥0.81473
参考库存:39994
分立半导体
整流器 Hypfst Rect 2A 200V
1:¥4.1471
10:¥2.8476
100:¥1.9323
500:¥1.5481
10,000:¥0.9379
参考库存:64901
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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