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分立半导体
SCT3030KLGC11参考图片

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SCT3030KLGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
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库存：14,791(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥494.4654
494.4654
5
¥485.4028
2427.014
10
¥472.792
4727.92
25
¥463.5034
11587.585
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247N-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1200 V
Id-连续漏极电流
72 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 4 V, 22 V
Qg-栅极电荷
131 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
339 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
SCT3x
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
10.8 S
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
SCT3030KL
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRFS4115
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥36.3408
10:¥30.8942
100:¥26.8149
250:¥25.4363
参考库存:7747
AU1PJHM3/84A
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1A 600V Ultrafast
1:¥4.1471
10:¥3.2205
100:¥2.3843
500:¥1.9662
3,000:¥1.3786
6,000:查看
参考库存:46554
BTA24-800BWRG
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 25 AMP 800 VOLT
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥15.8313
250:¥14.9838
参考库存:17961
SSB44-E3/52T
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 4.0 Amp 40 Volt
1:¥4.2262
10:¥2.8363
100:¥1.9097
500:¥1.5368
750:¥1.1526
参考库存:299998
1SS413CT,L3F
Toshiba
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Small Sig. Schottky Barrier Diode
1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
10,000:¥0.29154
20,000:查看
参考库存:41790

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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