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分立半导体
CSD87355Q5DT参考图片

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CSD87355Q5DT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V Powerblock N ch MOSFET
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库存：28,223(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥14.6787
3669.675
500
¥12.8368
6418.4
1,000
¥10.5994
10599.4
2,500
¥9.9101
24775.25
5,000
¥9.5259
47629.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LSON-CLIP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
45 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
13.7 nC, 31.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
12 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
6 mm
系列
CSD87355Q5D
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
90 S , 151 S
下降时间
3 ns, 6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns, 14 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 27 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 10 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N4132CUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥149.2956
250:¥137.0012
500:¥130.402
参考库存:50106
VS-ST330C08C0
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 800 Volt 720 Amp
12:¥646.6086
36:¥625.0143
60:¥616.4828
108:¥581.9839
参考库存:50111
JANTX1N3038BUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥134.3909
250:¥122.5598
500:¥114.6498
参考库存:50116
2N2946A/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥108.7286
200:¥99.1236
500:¥92.7504
1,000:¥85.0664
参考库存:50121
JAN1N3022BUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥118.7178
200:¥108.2653
500:¥101.2706
参考库存:50126

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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