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分立半导体

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BCV 26 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 PNP Silicn Darlingtn TRANSISTOR
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库存:33,663(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.9097
19.097
100
¥0.79891
79.891
1,000
¥0.54579
545.79
3,000
¥0.42262
1267.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
最大集电极截止电流
0.1 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BCV26
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
4000
高度
1 mm
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
直流集电极/Base Gain hfe Min
4000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BCV26E6327HTSA1 BCV26E6327XT SP000010874
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR Sen SCR 800V .8A 200uA
1:¥5.1528
10:¥3.8081
100:¥2.7459
500:¥2.3956
2,000:¥1.5255
10,000:查看
参考库存:12569
分立半导体
整流器 400V 8A Ultrafast
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.9269
800:¥5.4805
参考库存:8671
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥27.2782
10:¥23.2102
100:¥20.0575
250:¥19.0518
参考库存:5643
分立半导体
MOSFET 250V N-Channel QFET
1:¥4.0002
10:¥3.3222
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:10765
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30 Amp 100 Volt Dual TrenchMOS
1:¥13.3679
10:¥11.1418
100:¥8.6106
500:¥7.5145
1,000:¥6.2263
参考库存:3657
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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