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无线和射频半导体
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MRF151G

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
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数量单价合计
1
¥861.0713
861.0713
10
¥807.2833
8072.833
25
¥788.3784
19709.46
50
¥769.5526
38477.63
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
14 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Dual
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
500 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2089-6209-00
MACOM
无线和射频半导体
预定标器 4-10GHz IL .60dB VSWR 1.60:1
10:¥5,468.7028
参考库存:53371
EFR32FG1P133F128GM48-C0R
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN48 Sub-GHz 128 kB flash 32 kB RAM 28 GPIO
2,500:¥37.5725
参考库存:53376
CC2430F64RTC
Texas Instruments
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC CC2430-F64 CHIP W/ 64 kB Flash
260:¥66.0824
520:¥61.7771
1,040:¥56.7034
参考库存:53381
QPA3503TR13
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 3.4-3.6GHz 3W Gain 32dB
2,500:¥177.6586
参考库存:53386
NJG1617HE3-TE1
NJR
无线和射频半导体
RF 开关 IC DPDT Switch for Wireless LAN
3,000:¥5.2545
参考库存:53391

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