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无线和射频半导体
MRF6V13250HSR5参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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MRF6V13250HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS
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库存:55,544(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2,209.2291
2209.2291
5
¥2,175.2613
10876.3065
10
¥2,142.9094
21429.094
25
¥2,096.6585
52416.4625
50
¥2,064.4648
103223.24
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
120 V
增益
20 dB
输出功率
230 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.3 GHz
系列
MRF6V13250H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
476 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
零件号别名
935323152178
单位重量
4.763 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频前端 WLAN 11b/g/n FEM PA+SP3T
1:¥8.6106
10:¥7.1416
25:¥5.989
100:¥5.2206
3,000:¥5.2206
参考库存:16847
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥301.2919
2:¥296.3764
5:¥290.071
10:¥285.3815
参考库存:4619
无线和射频半导体
射频放大器 1.8-2.7GHz Gn 29.8dB P1dB 32.5dBm 2 stage
1:¥133.6225
25:¥102.3554
100:¥79.9136
250:¥66.1615
2,500:¥52.093
参考库存:18441
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN48 64 kB flash 16 kB RAM 31 GPIO
1:¥39.4935
10:¥37.2674
25:¥36.273
50:¥35.1204
参考库存:3958
无线和射频半导体
射频放大器 717-960MHz NF .9dB SSG 14dB 1.5-3.3V
1:¥17.7523
10:¥14.2945
100:¥12.8368
250:¥11.4469
3,000:¥7.3676
参考库存:4160
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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