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无线和射频半导体
CGHV50200F参考图片

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CGHV50200F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
17 A
输出功率
180 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
4402015
封装
Tray
工作频率
4.4 GHz to 5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
CGHV50200F-AMP
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
40
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.4 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CC2430F128RTC
Texas Instruments
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC CC2430-F128 CHIP W/ 128kB Flash
1:¥100.8186
10:¥92.6713
25:¥87.9027
100:¥78.2977
参考库存:6235
NRF51822-CDAB-R
Nordic Semiconductor
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC WLCSPpkt 128kB Flash 16kB RAM L3
暂无价格
参考库存:27279
TLC2932IPW
Texas Instruments
无线和射频半导体
锁相环 - PLL PHASE LOCKED LOOP
1:¥35.7306
10:¥32.1146
100:¥26.2838
250:¥24.6679
参考库存:5322
HMC686LP4E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频混合器 BiCMOS Mix w/Int LO amp, 700 - 1500 MHz
1:¥133.0914
10:¥122.4016
25:¥117.3392
100:¥103.3498
参考库存:5019
PD54008-E
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
参考库存:6986

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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