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无线和射频半导体

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MRFE6S9045NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 45W NI270-2 FET
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1
¥233.4354
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5
¥223.1411
1115.7055
10
¥215.3102
2153.102
25
¥187.8738
4696.845
500
¥162.0533
81026.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
66 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
2.08 mm
长度
9.7 mm
系列
MRFE6S9045NR1
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.15 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
零件号别名
935316813528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MAX41463GUB+T
Maxim Integrated
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无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Premium SoC QFN48 sub-GHz 19.5 dB proprietary 256 kB 32 kB (RAM) 31GPIO SoC
2,500:¥40.115
参考库存:43214

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