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无线和射频半导体
CGH55030F2参考图片

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CGH55030F2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt
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1
¥879.3547
879.3547
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
12 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
3 A
输出功率
25 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440166
封装
Tray
应用
-
配置
Single
高度
3.43 mm
长度
14.09 mm
工作频率
4.5 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
4.19 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
60
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H300-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,132.5425
5:¥1,107.2644
10:¥1,084.6757
25:¥1,068.6184
150:¥1,006.6831
参考库存:53901
无线和射频半导体
射频前端 2.4 GHz 3.0- 4.2 V
1:¥44.409
250:¥39.3466
500:¥32.9621
1,000:¥27.8884
2,500:¥20.2835
5,000:¥15.2098
参考库存:53906
无线和射频半导体
上下转换器 24GHz 4 Channel Rx non-IQ MMIC
1,500:¥214.6887
参考库存:53911
无线和射频半导体
射频混合器 600-3000MHz Conv. Loss 10dB
1:¥3,563.681
参考库存:53916
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC QFN48 2.4 G 19 dB mesh multi-protocol 512 kB 64 kB (RAM) 31GPIO
2,500:¥49.2567
参考库存:53921
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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