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无线和射频半导体
QPD1025L参考图片

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QPD1025L

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
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数量单价合计
1
¥6,170.252
6170.252
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
22.9 dB
Id-连续漏极电流
28 A
输出功率
1.5 kW
最大漏极/栅极电压
225 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
758 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230-4
封装
Tray
应用
Avionics, IFF Transponders
配置
Dual Gate Dual Drain
工作频率
1 GHz to 1.1 GHz
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1025LEVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频无线杂项 ATA5575 64BIT RFID IDIC;330PF;UNIQUE-ID
1:¥2.0001
10:¥1.9436
25:¥1.6611
100:¥1.5707
参考库存:27759
无线和射频半导体
RFID应答器 RFID 4 KB EEPROM
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
3,000:¥8.2942
参考库存:20462
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 10-100MHZ 5V/3V GP EMI
1:¥25.4363
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
2,500:¥12.8368
参考库存:17939
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥80.682
10:¥67.235
25:¥60.5454
50:¥53.788
参考库存:6161
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
1:¥1,081.6021
5:¥1,060.392
10:¥1,010.9884
25:¥989.6992
参考库存:27770
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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