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无线和射频半导体
QPD1025L参考图片

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QPD1025L

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
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参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
22.9 dB
Id-连续漏极电流
28 A
输出功率
1.5 kW
最大漏极/栅极电压
225 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
758 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230-4
封装
Tray
应用
Avionics, IFF Transponders
配置
Dual Gate Dual Drain
工作频率
1 GHz to 1.1 GHz
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1025LEVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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