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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-40
类型	Doubler RF Amplifier
技术	GaAs
工作频率	47 MHz to 1218 MHz
P1dB - 压缩点	31 dBm
增益	28 dB
工作电源电压	24 V
NF—噪声系数	4.5 dB
测试频率	1218 MHz
OIP3 - 三阶截点	48 dBm, 53 dBm
工作电源电流	440 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 90 C
封装	Cut Tape
封装	Reel
商标	Qorvo
通道数量	1 Channel
开发套件	QPB8857EVB
输入返回损失	18 dB
隔离分贝	- 42 dB
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	100
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NJG1558PB1-TE1	NJR	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Dual Band Mixer	4,000:¥10.9836	参考库存:56201
BGX7101HN/1,115	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	调节器/解调器 Transmitter IQ modulator	1,500:¥23.052	参考库存:56206
HMC452ST89	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 1 Watt pow amp SMT, 04 - 2.2 GHz	60:¥118.4918 100:¥104.3442 250:¥99.2818 500:¥97.2026	参考库存:56211
D1213UK	Semelab / TT Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 6W-7.2V-500MHz SE	100:¥325.7225 250:¥318.0385	参考库存:56216
PTFB182503FL-V2-R0	Wolfspeed / Cree	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	50:¥823.8039	参考库存:56221