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无线和射频半导体
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QPD1019

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
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18
¥4,072.52
73305.36
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
16.3 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V to 2 V
Id-连续漏极电流
15 A
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
522 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
配置
Single
工作频率
2.9 GHz to 3.3 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1019EVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NJG1558PB1-TE1
NJR
无线和射频半导体
射频放大器 Dual Band Mixer
4,000:¥10.9836
参考库存:56201
BGX7101HN/1,115
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
调节器/解调器 Transmitter IQ modulator
1,500:¥23.052
参考库存:56206
HMC452ST89
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 1 Watt pow amp SMT, 04 - 2.2 GHz
60:¥118.4918
100:¥104.3442
250:¥99.2818
500:¥97.2026
参考库存:56211
D1213UK
Semelab / TT Electronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 6W-7.2V-500MHz SE
100:¥325.7225
250:¥318.0385
参考库存:56216
PTFB182503FL-V2-R0
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥823.8039
参考库存:56221

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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