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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频放大器
RoHS	是
类型	HBT MMIC Amplifier
技术	GaAs InGaP
工作频率	DC to 5 GHz
P1dB - 压缩点	19.5 dBm
增益	17.2 dB
工作电源电压	4.9 V
NF—噪声系数	4.5 dB
测试频率	1.95 GHz
OIP3 - 三阶截点	34 dBm
工作电源电流	80 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
商标	Qorvo
通道数量	1 Channel
输入返回损失	13 dB
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	1000
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CGH60015D-GP4	Wolfspeed / Cree	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt	10:¥358.9219	参考库存:2300
MAAVSS0006TR-3000	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 DC-2500MHz IL 3.6Db Atten. Range 25dB	1:¥20.0575 10:¥16.2155 100:¥12.9046 500:¥11.30 3,000:¥8.4524	参考库存:10517
MMRF1310HR5	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1310H/CFM4F///REEL 13	1:¥855.2292 5:¥838.5504 10:¥810.888 25:¥776.6264 50:¥765.9366	参考库存:2154
MRF177	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB	1:¥507.5282 10:¥477.6397 25:¥462.6559 50:¥447.7512	参考库存:2286
BFR 181 E6327	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR	1:¥3.1527 10:¥2.2487 100:¥1.02943 1,000:¥0.791 3,000:¥0.67574	参考库存:29158