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无线和射频半导体
HMC443LP4ETR参考图片

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HMC443LP4ETR

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 x4 Active mult SMT, 9.8 - 11.2 GHz Fout
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库存:3,683(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥261.7984
261.7984
5
¥247.4248
1237.124
10
¥241.4358
2414.358
25
¥216.9939
5424.8475
500
¥187.1845
93592.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-24
类型
HBT MMIC Amplifier
技术
GaAs
工作频率
9.8 GHz to 11.2 GHz
P1dB - 压缩点
-
增益
-
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
-
测试频率
-
OIP3 - 三阶截点
-
工作电源电流
52 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC443
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
15 dB
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大
5.5 V
电源电压-最小
4.5 V
单位重量
1 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NJR
无线和射频半导体
射频放大器 Dual Band Mixer
4,000:¥10.9836
参考库存:56201
无线和射频半导体
调节器/解调器 Transmitter IQ modulator
1,500:¥23.052
参考库存:56206
无线和射频半导体
射频放大器 1 Watt pow amp SMT, 04 - 2.2 GHz
60:¥118.4918
100:¥104.3442
250:¥99.2818
500:¥97.2026
参考库存:56211
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 6W-7.2V-500MHz SE
100:¥325.7225
250:¥318.0385
参考库存:56216
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥823.8039
参考库存:56221
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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