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无线和射频半导体

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BFR 740L3RH E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
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数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4692
54.692
100
¥3.5256
352.56
1,000
¥2.825
2825
15,000
¥2.2035
33052.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR740L3
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
封装 / 箱体
TSLP
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.45(Max) mm
长度
1 mm
类型
RF Silicon Germanium
宽度
0.6 mm
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR740L3RHE6327XTSA1 BFR74L3RHE6327XT SP000252393
单位重量
0.500 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ADL5801ACPZ-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频混合器 Wide Band Active Mixer
1:¥83.0663
10:¥75.3823
25:¥70.851
50:¥68.2294
1,500:¥48.4883
参考库存:20150
QPC6082TR7
Qorvo
无线和射频半导体
RF 开关 IC 5-6000MHz SP8T IL .4dB IIP3 69dBm
1:¥17.9783
25:¥13.8312
100:¥10.7576
250:¥8.9157
2,500:¥6.1472
参考库存:9062
TGA2237-SM
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 30-2500MHz 10W GaN PAE > 50% Gain 19dB
1:¥1,075.76
25:¥860.608
100:¥683.876
参考库存:3314
F1192NLGI
IDT
无线和射频半导体
射频混合器 Dual RF Down Converting Mixer
1:¥88.4451
5:¥84.4449
10:¥80.3769
25:¥74.3766
参考库存:1731
SKY65933-11
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频前端 GPS LNA Module
1:¥24.1255
10:¥21.5152
25:¥19.3682
100:¥17.6732
10,000:¥10.4525
参考库存:5168

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

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    科技智能大仓储

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