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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	衰减器
RoHS	是
封装 / 箱体	SMT-24
最大衰减	35 dB
最大频率	30 GHz
通道数量	1 Channel
阻抗	50 Ohms
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC812A
技术	GaAs
类型	MMIC Voltage Variable Attenuator
商标	Analog Devices
介入损耗	2.5 dB
安装风格	SMD/SMT
最小频率	5 GHz
湿度敏感性	Yes
产品类型	Attenuators
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
T1G2028536-FS	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN	1:¥3,903.472 25:¥3,597.4228	参考库存:1422
ATBTLC1000A-MU-Y	Microchip Technology / Atmel	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC Smart BLE 4.1 ATBTLC1000	1:¥35.7306 10:¥31.8886 25:¥28.6568 50:¥28.3517	参考库存:6694
ADL5246ACPZN-R7	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 VGLNA	1:¥121.023 10:¥109.8021 25:¥103.1916 50:¥99.3496 1,500:¥70.6137	参考库存:6876
CGHV27015S	Wolfspeed / Cree	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt	1:¥237.4356 250:¥237.4356	参考库存:1848
GRF3044	Guerrilla RF	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 .1-11GHz GaAs Gain 16.6dB NF 1.8dB	1:¥32.2728 10:¥30.6569 100:¥28.2726 250:¥25.0521 2,500:¥10.8367	参考库存:11545