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无线和射频半导体
MRF6VP3450HR5参考图片

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MRF6VP3450HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H
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库存:3,316(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,433.2242
1433.2242
5
¥1,401.2565
7006.2825
10
¥1,372.5884
13725.884
25
¥1,352.3049
33807.6225
50
¥1,303.2064
65160.32
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual Common Source
高度
5.08 mm
长度
41.28 mm
系列
MRF6VP3450H
类型
RF Power MOSFET
宽度
10.29 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
零件号别名
935313959178
单位重量
13.193 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Ultrahigh Spd Phase/ Freq Discriminator
1:¥105.8132
10:¥96.05
25:¥90.287
50:¥86.9083
参考库存:3602
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Bluetooth Low Energy 4.2 SoC with integrated 1Mb Flash memory 24 GPIOs in QFN40 and 0.4mm pin pitch package
1:¥29.8885
10:¥23.9786
100:¥21.8994
250:¥19.7524
参考库存:3614
无线和射频半导体
射频放大器 5GHz Gain 33dB Pout 23dBm
1:¥27.1991
250:¥24.973
500:¥21.8203
1,000:¥18.1365
2,500:¥14.5205
参考库存:28296
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
参考库存:62618
无线和射频半导体
射频发射器 315MHz FSK/ASK Transmitter
1:¥17.9783
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
5,000:¥7.571
参考库存:25657
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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