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无线和射频半导体
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AFM907NT1

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power
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数量单价合计
1
¥19.6733
19.6733
10
¥18.0574
180.574
25
¥16.3624
409.06
100
¥14.7578
1475.78
1,000
¥11.0627
11062.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
30 V
增益
15 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-16
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
136 MHz to 941 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
9.8 S
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
65.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V , 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
零件号别名
935346918515
单位重量
0.001 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STAC9200
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200W 32V HF to 1.3GHz LDMOS transistor in STAC package
1:¥1,281.1488
5:¥1,250.345
10:¥1,219.2926
25:¥1,202.2409
参考库存:56277
HMC778LP6CETR
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL PPL/VCO MCM (9.6-10.8 GHz)
500:¥415.8626
参考库存:56282
HMC383-SX
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 11-31 GHz pHEMT Driver amp
2:¥803.4413
6:¥777.5417
10:¥762.0268
26:¥730.9744
参考库存:56287
HMC7950LS6TR
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 2-28GHz LNA
100:¥1,127.1637
参考库存:56292
HMC-ALH444
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 1 - 12 GHz
50:¥542.7955
100:¥521.1334
参考库存:56297

  • 海量现货

    50万现货SKU

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