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无线和射频半导体
BFP 740FESD H6327参考图片

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BFP 740FESD H6327

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3.842
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¥3.1979
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100
¥1.9549
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¥1.5029
1502.9
3,000
¥1.2882
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP740
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
160
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.2 V
集电极连续电流
45 mA
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
47 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP740FESDH6327XTSA1 BFP74FESDH6327XT SP000890036
单位重量
1.800 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NJG1669MD7-TE1
NJR
无线和射频半导体
RF 开关 IC GaAs SPDT 37dB 6.0GHz 1300mW
3,000:¥3.3674
参考库存:55539
PXAD184218FV-V1-R2
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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2,000:¥18.984
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衰减器 3.0dB +/-0.5dB 50ohm 63mW
1,000:¥71.4612
参考库存:55559

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