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无线和射频半导体

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CGH27030F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
7 A
输出功率
30 W
最大漏极/栅极电压
28 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
14 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440196
封装
Tray
应用
Telecom
配置
Single
工作频率
2.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
NF—噪声系数
3 dB
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT23H200-4S2LR6
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L
150:¥732.127
参考库存:39792
MRF8P20165WHR3
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4
250:¥811.9728
参考库存:39797
RFFM8550BTR13
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 5 GHz FEM,WiFi
5,000:¥4.7686
10,000:¥3.6838
参考库存:39802
A2G22S251-01SR3
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频放大器 A2G22S251-01S/CFM2F///REEL 13 Q2 DP
250:¥995.7673
参考库存:39807
MAAP-008516-TR3000
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 2100-2500MHz Gain 30dB Typ.
6,000:¥3.0623
9,000:¥2.9493
24,000:¥2.8589
参考库存:39812

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    50万现货SKU

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