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无线和射频半导体
MRF141参考图片

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MRF141

  • Advanced Semiconductor, Inc.
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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库存:4,383(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥571.5314
571.5314
10
¥524.433
5244.33
25
¥470.645
11766.125
50
¥416.857
20842.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
221-11-3
封装
Tray
配置
Single
工作频率
175 MHz
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
300 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 Low Distortion RF/IF IC
1:¥50.3302
10:¥45.3356
25:¥42.6462
50:¥40.0359
1,000:¥27.8206
参考库存:23242
无线和射频半导体
射频前端 868MHz to 960MHz 30.5 dBm, 16dB
1:¥43.0304
100:¥38.1149
250:¥31.9677
500:¥27.0522
1,000:¥19.6733
2,500:¥19.6733
参考库存:15784
无线和射频半导体
射频收发器 Multi-band SoC Sub-1GhZ
1:¥38.9624
25:¥30.51
50:¥26.3516
1,000:¥23.4362
2,000:¥22.7469
参考库存:3746
无线和射频半导体
射频放大器 .1-6GHz GaAs Gain 17dB
1:¥19.9784
10:¥18.984
100:¥17.515
250:¥15.5262
2,500:¥6.6896
参考库存:25528
无线和射频半导体
射频混合器 2GHz Low Power Downconverting Mixer
1:¥63.2348
25:¥41.9569
100:¥34.6571
250:¥32.9621
参考库存:16255
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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