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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	IDT (Integrated Device Technology)
产品种类	RF 开关 IC
RoHS	是
开关数量	Dual
开关配置	SPDT
工作频率	50 MHz to 8 GHz
介入损耗	1.6 dB
关闭隔离—典型值	45 dB
最大工作温度	+ 105 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-EP-16
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	0.9 mm
长度	4 mm
系列	F2932
宽度	4 mm
商标	IDT
最小工作温度	- 40 C
湿度敏感性	Yes
工作电源电流	260 uA
产品类型	RF Switch ICs
工厂包装数量	2500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大	5.5 V
电源电压-最小	2.7 V

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PTVA127002EV-V1-R250	Wolfspeed / Cree	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥7,143.2046	参考库存:58870
LT5546EUF#TRPBF	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	调节器/解调器 17MHz Demodulator w. VGA	2,500:¥31.4253	参考库存:58875
D2210UK	Semelab / TT Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-12.5V-500MHz SE	50:¥568.1527 100:¥563.4632	参考库存:58880
LTC5556IUH#TRPBF	Analog Devices / Linear Technology	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频接收器 1.5GHz-7GHz DualProg Downconverting Mixer	2,500:¥99.5078	参考库存:58885
PTFC262157FH-V1-R0	Wolfspeed / Cree	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	50:¥945.6744	参考库存:58890