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无线和射频半导体
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QPD3601

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
22 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
360 mA
输出功率
180 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
60.9 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI400-2
封装
Waffle
配置
Single
工作频率
3.4 GHz to 3.6 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.7 V
零件号别名
1130556
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
OS10040280GW-012
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 40-1000MHz ORL 17dB In Return Loss 45dB
1:¥825.2616
参考库存:1876
3SK294(TE85L,F)
Toshiba
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1
1:¥3.842
10:¥2.5538
100:¥1.4238
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:16383
BAP64-02,115
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
PIN 二极管 PIN 175V 100MA
1:¥3.5369
10:¥2.5312
100:¥1.1639
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.76049
参考库存:29580
APD2220-000
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
PIN 二极管 Cj=.35pF 100Volt -65C +175C
100:¥13.447
300:¥12.0684
500:¥11.3678
1,000:¥9.605
2,500:¥9.0626
参考库存:7852
MMA005AA
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频放大器 MMIC Amplifier - 2-22GHz
25:¥565.7684
50:¥537.4167
100:¥520.591
参考库存:1979

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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