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无线和射频半导体
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QPD3601

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
22 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
360 mA
输出功率
180 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
60.9 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI400-2
封装
Waffle
配置
Single
工作频率
3.4 GHz to 3.6 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.7 V
零件号别名
1130556
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SKY73033-11
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频混合器 1700-2200MHz NF9.4dB Conv Gain 8.9dB
1:¥82.829
5:¥78.8401
10:¥76.0716
25:¥70.1504
2,500:¥57.1667
参考库存:50204
MMRF1004GNR1
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V
1:¥229.7516
5:¥219.6042
10:¥211.9202
25:¥184.9584
500:¥159.5221
参考库存:50209
QPA0163LSR
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 100-1300MHz NF 2.6dB Gain 16.8dB
100:¥10.4525
参考库存:50214
GC4712-150A
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
PIN 二极管
1:¥150.6855
10:¥136.9334
25:¥126.7069
50:¥119.8704
参考库存:50219
HMC413QS16GETR
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 pow amp SMT, 1.6 - 2.2 GHz
500:¥62.7828
1,000:¥55.0197
参考库存:50224

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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