F2270NLGK原装正品_库存数量_PDF手册

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	IDT (Integrated Device Technology)
产品种类	衰减器
RoHS	是
封装 / 箱体	QFN-16
最大衰减	35 dB
最大频率	3000 MHz
通道数量	1 Channel
阻抗	75 Ohms
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 105 C
封装	Tray
系列	F2270
类型	Voltage Variable Attenuator
商标	IDT
介入损耗	1.1 dB
安装风格	SMD/SMT
最小频率	5 MHz
工作电源电压	3.3 V/5 V
产品类型	Attenuators
工厂包装数量	624
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
商标名	Glitch-Free

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
HMC594LC3B	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 lo Noise amp SMT, 2 - 4 GHz	21:¥304.1282 25:¥282.3079 100:¥264.1036 250:¥254.9506	参考库存:56579
PN7412AUHN/C300Y	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU NFC controller	1:¥46.7933 10:¥39.7986 100:¥34.4989 250:¥32.7361 1,000:¥24.747	参考库存:56584
AT-2203(46)	Hirose Connector	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 ATTENUATOR 3DB	1,000:¥46.8724 2,000:¥44.4881	参考库存:56589
TGA2752-SM	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 TGA2752-SM T/R, 7.1-8.5GHZ 10W PA	500:¥1,329.6371	参考库存:56594
MMRF1008HSR5	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V	1:¥2,121.1682 5:¥2,088.5903 10:¥2,057.4701 25:¥2,013.0498 50:¥1,982.1669	参考库存:56599