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无线和射频半导体
MRF6V10010NR4参考图片

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MRF6V10010NR4

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5
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库存:1,665(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥502.9969
502.9969
5
¥492.3184
2461.592
10
¥473.1084
4731.084
25
¥457.8873
11447.1825
100
¥424.315
42431.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
100 V
增益
25 dB
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Source
高度
1.83 mm
长度
6.73 mm
工作频率
960 MHz to 1400 MHz
系列
MRF6V10010N
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.97 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935321297531
单位重量
280 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Intg Integer-N VCO Out Freq 1050-1250
1:¥53.0987
10:¥47.799
25:¥44.9514
50:¥42.262
参考库存:5152
无线和射频半导体
射频接收器 (Not Recommended for New Designs)300-440MHz High Sensitivity Receiver
1:¥19.6733
10:¥19.3682
25:¥18.0574
100:¥16.3624
参考库存:5464
无线和射频半导体
射频放大器 QPA2735, .75-18 GHz LNA OM Pkg
1:¥342.2431
25:¥302.4445
50:¥302.4445
参考库存:4961
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.8996
50:¥23.052
参考库存:27025
无线和射频半导体
射频前端 400-928MHz 915MHz AMR
1:¥44.409
100:¥39.3466
200:¥32.9621
500:¥27.8884
1,000:¥20.2835
参考库存:5228
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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