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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-EP-16
类型	RF Amplifier
技术	GaAs
工作频率	13.5 GHz
P1dB - 压缩点	18 dBm
增益	14 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	5 dB
OIP3 - 三阶截点	29 dBm
工作电源电流	90 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC441G
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
频率范围	6.5 GHz to 13.5 GHz
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	15 dB
Pd-功率耗散	760 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ADL5387ACPZ-WP	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	调节器/解调器 30MHz-2GHz Quadrature	1:¥85.1342 10:¥77.2242 25:¥72.6138 50:¥69.9244	参考库存:1341
PD55008S-E	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.	1:¥120.7179 10:¥110.9547 25:¥106.3443 100:¥93.7448 250:¥89.1344	参考库存:2228
QPF4519SR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 WiFi FEM 802.11a/n/ac	1:¥37.0414 25:¥34.578 100:¥34.578 200:¥31.7304 500:¥27.6624	参考库存:1515
RF5521SR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 2.4-2.5GHz FEM	1:¥9.9101 100:¥9.9101 200:¥9.1417	参考库存:1722
D1029UK	Semelab / TT Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 350W-28V-175MHz PP	1:¥1,916.2314 10:¥1,692.0959 25:¥1,535.2632 50:¥1,439.9816	参考库存:1324