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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频混合器
RoHS	是
射频	22 GHz to 38 GHz
转换损失——最大	14.5 dB
NF—噪声系数	14 dB
LO频率	22 GHz to 38 GHz
中频	DC to 8 GHz
最大工作温度	+ 85 C
最小工作温度	- 55 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	Die
系列	HMC329
技术	GaAs
商标	Analog Devices / Hittite
OIP3 - 三阶截点	21 dBm
P1dB - 压缩点	13.5 dBm
Pd-功率耗散	382 mW
产品类型	RF Mixer
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
D2225UK	Semelab / TT Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz PP	100:¥207.5471 250:¥204.0102	参考库存:54490
MD-149-PIN	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频混合器 10-1500MHz Conv. Loss 10dB	21:¥574.153	参考库存:54495
QPM1002TR7	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 8.5-10.5GHz GaN Transmit/Receive Module	750:¥592.0522	参考库存:54500
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LT5557EUF#TRPBF	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频混合器 400 MHz to 3.8 GHz 3.3V Downconverting Mixer	2,500:¥54.7146	参考库存:54510

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