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无线和射频半导体
HMC3653LP3BE参考图片

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HMC3653LP3BE

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库存:2,208(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥198.4732
198.4732
5
¥187.5687
937.8435
10
¥183.0374
1830.374
25
¥164.5167
4112.9175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SMT-12
类型
Gain Block Amplifier
工作频率
15 GHz
P1dB - 压缩点
16 dBm
增益
15 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
6 dB
OIP3 - 三阶截点
28 dBm
工作电源电流
40 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC3653
封装
Cut Tape
频率范围
7 GHz to 15 GHz
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
15 dB
Pd-功率耗散
512 mW
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
353 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
VCO振荡器 Wideband VCO, Multi-band
500:¥767.6316
参考库存:54792
IDT
无线和射频半导体
射频混合器 DPD Mixer 0.35 UM SIGE BICMOS
2,500:¥112.3446
参考库存:54797
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 4+4+1 Zero Delay Clock Buffer
2,500:¥4.7234
参考库存:54802
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB
100:¥480.5551
200:¥451.7401
参考库存:54807
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥3,941.1236
参考库存:54812
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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