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无线和射频半导体
NPT1012B参考图片

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NPT1012B

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
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库存:2,517(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,078.6754
1078.6754
2
¥1,048.866
2097.732
5
¥1,024.8196
5124.098
10
¥994.9198
9949.198
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
3 V
Id-连续漏极电流
4 mA
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
44 W
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
配置
Single
工作频率
4 GHz
商标
MACOM
P1dB - 压缩点
43 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
440 mOhms
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.8 V
单位重量
220 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1,000:¥60.2403
参考库存:52463
无线和射频半导体
PIN 二极管
100:¥57.1667
250:¥52.5563
500:¥47.9459
1,000:¥41.7196
参考库存:52468
无线和射频半导体
调谐器 TDA7708 AM/FM/HD-Radio automotive receiver - 64-pin QFN package
1,560:¥25.9674
3,120:¥25.0521
参考库存:52473
无线和射频半导体
PIN 二极管
30:¥246.2722
50:¥238.5882
100:¥230.9042
250:¥215.5362
参考库存:52478
无线和射频半导体
射频前端 802.11a/b/g/n/ac+ BT Front end module
2,500:¥24.5097
参考库存:52483
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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