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无线和射频半导体
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NPT1012B

  • MACOM
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
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2
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5
¥1,024.8196
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10
¥994.9198
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
3 V
Id-连续漏极电流
4 mA
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
44 W
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
配置
Single
工作频率
4 GHz
商标
MACOM
P1dB - 压缩点
43 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
440 mOhms
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.8 V
单位重量
220 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2V09H400-04NR3
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥782.0052
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MRF6VP121KHSR5
NXP / Freescale
无线和射频半导体
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50:¥4,410.9211
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RFFM8250TR7
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10,000:¥2.5312
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EFR32BG12P433F1024GL125-C
Silicon Labs
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RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC BGA125 dual 19 dB BLE/proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 65GPIO
260:¥82.603
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PXAC201602FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:40967

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