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无线和射频半导体

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参数信息

参数	参数值
制造商	NXP
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
类型	MMIC Wideband Amplifier
技术	Silicon
工作频率	250 MHz to 2.15 GHz
P1dB - 压缩点	2 dBm
增益	22.2 dB
工作电源电压	3.3 V
NF—噪声系数	3.8 dB
测试频率	250 MHz
OIP3 - 三阶截点	14 dBm
工作电源电流	14.3 mA
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
带宽	2.8 GHz
产品	Variable Gain Amplifiers
商标	NXP Semiconductors
通道数量	6 Channel
输入返回损失	17 dB
隔离分贝	78 dB
Pd-功率耗散	200 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	3000
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	935290051115
单位重量	5.464 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
GC4964-12	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管	70:¥116.6386 100:¥113.2599 250:¥103.2707 500:¥96.6602	参考库存:55846
MG1007-42	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管	5:¥1,490.0858 10:¥1,468.6384 25:¥1,448.0498 50:¥1,415.551	参考库存:55851
LMH2121TMX/NOPB	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频检测器 3GHz Fast Responding Linear Pwr Detector	3,000:¥6.8591 9,000:¥6.5879	参考库存:55856
TGA2522-SM-T/R	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 17 - 24 GHz Power Amplifier /AGC	1,000:¥171.195	参考库存:55861
PTRA083818NF-V1-R5	Wolfspeed / Cree	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier	500:¥738.2064	参考库存:55866

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