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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Texas Instruments
产品种类	RF片上系统 - SoC
RoHS	是
类型	Zigbee
核心	8051
工作频率	2.4 GHz
最大数据速率	250 kb/s
输出功率	4.5 dBm
灵敏度	- 97 dBm
工作电源电压	2 V to 3.6 V
接收供电电流	24.3 mA
传输供电电流	33.5 mA
程序存储器大小	32 kB
工作温度范围	- 40 C to + 125 C
封装 / 箱体	VQFN-40
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
程序存储器类型	Flash
系列	CC2530-RF4CE
商标	Texas Instruments
数据 RAM 大小	8 kB
接口类型	2-Wire, SPI, UART
安装风格	SMD/SMT
输入/输出端数量	21 I/O
ADC分辨率	12 bit
数据总线宽度	8 bit
最大工作温度	+ 125 C
最小工作温度	- 40 C
湿度敏感性	Yes
ADC通道数量	8
定时器数量	4 Timer
处理器系列	CC253
产品类型	RF System on a Chip - SoC
工厂包装数量	250
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	80 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BLV57	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor	1:¥1,289.9854 10:¥1,183.7202 25:¥1,062.313 50:¥940.9058	参考库存:2288
TFF1003HN/N1,115	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL Low Phase Noise SMD 816MHz 3.3V-10dBm	1:¥72.2296 10:¥65.314 25:¥62.2404 100:¥54.0931 1,500:¥39.4935	参考库存:5655
VRF152	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥566.0057 2:¥554.8639 5:¥548.7958 10:¥531.5746	参考库存:2327
ARF463AG	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥254.8828 5:¥243.4246 10:¥235.8197 25:¥216.6888	参考库存:2509
LMX2541SQ2690E/NOPB	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL Ultra-Low Noise PLLatinum Frequency Synt	1:¥92.2871 10:¥84.9082 25:¥80.456 100:¥71.6872 1,000:¥58.4775	参考库存:4151