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无线和射频半导体
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ARF1501

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥1,451.9709
1451.9709
2
¥1,417.0878
2834.1756
5
¥1,396.341
6981.705
10
¥1,376.5095
13765.095
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
增益
17 dB
输出功率
750 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Box
工作频率
40 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
5.5 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
13 ns
Pd-功率耗散
1.5 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPC6324SR
Qorvo
无线和射频半导体
RF 开关 IC 5-6000MHz SPDT
1:¥17.9783
25:¥13.8312
100:¥10.7576
参考库存:10869
STHVDAC-256MTGF3
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频无线杂项 Antenna tuning circuit with TURBO & GLIDE
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.0738
5,000:¥5.2545
参考库存:30126
HMC576LC3BTR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 x2 Active mult SMT, 18 - 29 GHz Fout
1:¥384.8102
5:¥373.1373
10:¥361.4531
25:¥349.848
100:¥324.1857
200:¥314.8858
参考库存:5883
F0480NBGI
IDT
无线和射频半导体
射频放大器 Digital Var Gain Amp 13dB 400 TO 2700 MHz
1:¥88.592
10:¥79.7554
25:¥72.6929
50:¥67.3141
参考库存:8185
CLA4606-000
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
PIN 二极管 IL .1dB @-10dBm Max CW Pwr 3W
100:¥18.0574
300:¥16.2155
500:¥15.368
1,000:¥12.9046
2,500:¥12.1362
参考库存:6402

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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