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无线和射频半导体
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ARF463AP1G

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥277.0082
277.0082
5
¥264.5556
1322.778
10
¥256.2614
2562.614
25
¥235.5146
5887.865
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
15 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
封装
Tube
工作频率
100 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
2 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
4.2 ns
Pd-功率耗散
180 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
4.3 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXAC213308FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,036.2665
参考库存:55691
PTFB091507FH-V1-R250
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥518.67
参考库存:55696
PXV1220S-8DBN8-T
Susumu
无线和射频半导体
衰减器 8.0dB +/-0.5dB 50ohm 63mW
1,000:¥71.4612
参考库存:55701
HMC575LP4TR
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 x2 Active mult SMT, 6 - 9 GHz Fout
500:¥263.4821
参考库存:55706
EFR32BG12P332F1024GM48-CR
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC QFN48 2.4 G 10 db BLE/proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 31GPIO
2,500:¥65.3931
参考库存:55711

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    50万现货SKU

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