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无线和射频半导体
A2T18H160-24SR3参考图片

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A2T18H160-24SR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存:58,535(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥693.4019
173350.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
600 mA, 1 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
17.9 dB
输出功率
28 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4L2L-6
封装
Reel
工作频率
1.805 GHz to 1.88 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
零件号别名
935316045128
单位重量
4.672 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC 20 Watt Failsafe Switch , 0.2 - 2.2 GHz
1:¥56.7034
10:¥51.2568
25:¥48.8725
100:¥42.4202
500:¥36.9623
参考库存:4497
无线和射频半导体
射频收发器 High Performance Narrow-Band IC
1:¥56.3983
10:¥50.7935
25:¥47.7199
50:¥44.8723
参考库存:3704
无线和射频半导体
RFID应答器 RFID Disk Tag 25MM
1:¥9.9101
5:¥9.4468
10:¥8.9948
25:¥8.4524
50:¥8.3733
参考库存:3416
无线和射频半导体
射频放大器 10-250MHz NF 1.8dB Gain 8.0dB
1:¥1,449.9708
参考库存:2648
无线和射频半导体
射频放大器 x2 Active mult SMT, 13 - 24.6 GHz Fout
1:¥397.1046
5:¥385.8159
10:¥370.527
25:¥343.859
参考库存:2900
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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