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无线和射频半导体
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MAX2601ESA+

  • Maxim Integrated
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap
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数量单价合计
1
¥34.4198
34.4198
25
¥27.0522
676.305
50
¥23.3571
1167.855
250
¥22.8938
5723.45
1,000
¥20.7468
20746.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Maxim Integrated
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MAX2601
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
集电极—发射极最大电压 VCEO
17 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.3 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube
高度
1.58 mm
长度
4.98 mm
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
类型
RF Bipolar Power
宽度
3.99 mm
商标
Maxim Integrated
最大直流电集电极电流
1.2 A
Pd-功率耗散
6.4 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
MAX2601
单位重量
540 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT23H200-4S2LR6
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L
150:¥732.127
参考库存:39792
MRF8P20165WHR3
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4
250:¥811.9728
参考库存:39797
RFFM8550BTR13
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 5 GHz FEM,WiFi
5,000:¥4.7686
10,000:¥3.6838
参考库存:39802
A2G22S251-01SR3
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频放大器 A2G22S251-01S/CFM2F///REEL 13 Q2 DP
250:¥995.7673
参考库存:39807
MAAP-008516-TR3000
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 2100-2500MHz Gain 30dB Typ.
6,000:¥3.0623
9,000:¥2.9493
24,000:¥2.8589
参考库存:39812

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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