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无线和射频半导体

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LET9045STR

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package
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600
¥237.6616
142596.96
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
18.5 dB
输出功率
45 W
最大工作温度
+ 165 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Reel
工作频率
1 GHz
系列
LET9045
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V to 15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT23H200-4S2LR6
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L
150:¥732.127
参考库存:39792
MRF8P20165WHR3
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4
250:¥811.9728
参考库存:39797
RFFM8550BTR13
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 5 GHz FEM,WiFi
5,000:¥4.7686
10,000:¥3.6838
参考库存:39802
A2G22S251-01SR3
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频放大器 A2G22S251-01S/CFM2F///REEL 13 Q2 DP
250:¥995.7673
参考库存:39807
MAAP-008516-TR3000
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 2100-2500MHz Gain 30dB Typ.
6,000:¥3.0623
9,000:¥2.9493
24,000:¥2.8589
参考库存:39812

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