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无线和射频半导体
BFP842ESDH6327XTSA1参考图片

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BFP842ESDH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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库存:16,852(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.938
29.38
100
¥1.7967
179.67
1,000
¥1.3899
1389.9
3,000
¥1.1865
3559.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP842
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
3.25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4.1 V
集电极连续电流
40 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
450
工作频率
60 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
120 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
842ESD BFP BFP842ESDH6327XT H6327 SP000943012
单位重量
7 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 DC-50 GHz Fixed Attenuator-3dB
200:¥19.2891
400:¥17.289
600:¥15.2889
1,000:¥13.2888
2,600:¥13.0628
参考库存:10411
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS
1:¥11.4469
10:¥9.2208
100:¥7.0738
500:¥6.2263
1,000:¥4.9155
参考库存:6618
无线和射频半导体
射频放大器 15-21GHz 2W PA
1:¥489.629
5:¥474.8712
10:¥459.9665
25:¥445.1296
参考库存:4630
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 TRANS MED FREQ
1:¥2.9945
10:¥2.2261
100:¥1.2091
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.78422
参考库存:34422
无线和射频半导体
射频放大器 45-1200MHz GaAs Gain 22.5dB
1:¥304.5915
25:¥286.7714
参考库存:4579
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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