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无线和射频半导体
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ARF476FL

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥779.5418
779.5418
2
¥755.4163
1510.8326
5
¥755.179
3775.895
10
¥730.8275
7308.275
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
15 dB
输出功率
900 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Box
工作频率
150 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
3 mS
下降时间
4 ns
Pd-功率耗散
910 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EFR32FG1P133F128GM48-C0
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN48 Sub-GHz 128 kB flash 32 kB RAM 28 GPIO
260:¥41.1885
520:¥38.8042
1,040:¥38.2618
参考库存:46058
TGF2160
Qorvo
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE
100:¥132.7072
300:¥124.0175
500:¥115.9493
参考库存:46063
SMA70-1
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 10-250MHz NF 1.8dB Gain 8.0dB
10:¥1,449.9708
参考库存:46068
BFU530XRVL
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.9379
20,000:¥0.89157
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:46073
QPA1019D
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 QPA1019D
10:¥3,380.96
30:¥2,743.188
参考库存:46078

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    50万现货SKU

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