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无线和射频半导体
SS9018HBU参考图片

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SS9018HBU

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库存:212,225(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.8419
1.8419
10
¥1.2317
12.317
100
¥0.51528
51.528
1,000
¥0.35369
353.69
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
SS9018
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
97
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极连续电流
50 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
封装
Bulk
集电极—基极电压 VCBO
30 V
直流电流增益 hFE 最大值
198
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
工作频率
1100 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
增益带宽产品fT
1100 MHz
最大直流电集电极电流
0.05 A
Pd-功率耗散
400 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
SS9018HBU_NL
单位重量
179 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频混合器 Integrated DPD Mixer with WB Synth
1:¥179.1163
5:¥173.116
10:¥166.901
25:¥158.9006
750:¥144.9225
参考库存:4603
无线和射频半导体
调节器/解调器 1.5GHz - 2.5GHz Quadrature Demodulator
1:¥73.3822
25:¥48.7143
100:¥40.2619
250:¥38.2618
参考库存:2135
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 300 W CW 50 V
1:¥513.7545
5:¥498.7707
10:¥488.0922
25:¥467.5714
500:¥402.0992
参考库存:24099
无线和射频半导体
射频放大器 5-6 GHz 60 Watt GaN Power Amplifier
1:¥6,101.096
参考库存:1852
无线和射频半导体
射频放大器 3.4-3.8GHz SiGe Predriver
1:¥27.7415
10:¥26.3516
25:¥20.2835
50:¥17.289
参考库存:3554
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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