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无线和射频半导体
CGH60030D-GP4参考图片

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CGH60030D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
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10
¥561.6213
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
3 A
输出功率
30 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Waffle
应用
-
配置
Dual
高度
100 um
长度
1.66 mm
工作频率
4 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
920 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
通道数量
2 Channel
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ADL5611ARKZ-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 2dB Noise Figure Gain Block
1:¥38.4991
10:¥34.352
25:¥30.962
50:¥29.5043
1,000:¥19.7524
参考库存:10081
QPL9065SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 .45-3.8GHz NF .55dB Gain 37.5dB
1:¥73.3031
25:¥56.1723
100:¥43.8779
参考库存:9128
RP23740A30DBFPBK
AVX
无线和射频半导体
衰减器 150watts 30dB 1% CHIP DC-3GHZ
1:¥95.2816
10:¥93.6657
20:¥89.2135
50:¥87.5976
参考库存:5505
MA4SW410B-1
MACOM
无线和射频半导体
RF 开关 IC 2-18GHz ISO 35dB IL 1.4dB @ 18GHz
25:¥238.5882
参考库存:5612
CC2531F128RHAR
Texas Instruments
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC IC RF ZigBee 802.15.4 SoC w/USB
1:¥51.4828
10:¥46.5673
25:¥43.1095
100:¥38.5782
2,500:¥28.2048
参考库存:27541

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    50万现货SKU

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