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产品分类

无线和射频半导体
BFR 193 E6327参考图片

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BFR 193 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
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库存:108,569(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.4408
24.408
100
¥1.04525
104.525
1,000
¥0.80682
806.82
3,000
¥0.61472
1844.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR193
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.08 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 30 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
8000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
0.08 A
Pd-功率耗散
580 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327XT SP000011056
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 Bands S and C Common Cathode
100:¥80.456
300:¥74.3088
500:¥71.6194
参考库存:44602
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Premium SoC QFN32 sub-GHz 19.5 dB proprietary 128 kB 16 kB (RAM) 16GPIO SoC
260:¥38.5782
520:¥37.5725
参考库存:44607
无线和射频半导体
射频前端 475-625MHZ 3.3VOLT 75 OHM
100:¥30.4309
200:¥27.5833
500:¥24.6679
1,000:¥20.2044
参考库存:44612
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC ZigBee / IEEE 802.15.4 SoC with 256kB flash, 32kB RAM, USB and additional GPIO
2,000:¥42.5671
参考库存:44617
无线和射频半导体
射频放大器 802.11A N AC, 5GHZ PA, PWR DETECTOR, 4.0
2,500:¥6.2602
5,000:¥6.0229
10,000:¥5.7969
参考库存:898202
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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