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无线和射频半导体

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BF 999 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.825
28.25
100
¥1.7289
172.89
1,000
¥1.3334
1333.4
3,000
¥1.1413
3423.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1 mm
长度
2.9 mm
系列
BF999
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
6.5 V
零件号别名
BF999E6327HTSA1 BF999E6327XT SP000010985
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU AVR Z-Link BUNDLE
119:¥98.2761
250:¥89.7446
500:¥84.0607
1,000:¥77.3824
参考库存:57089
无线和射频半导体
射频无线杂项 IC REMOTE KEYLESS ENTRY
1:¥37.4256
10:¥31.8095
100:¥27.5833
250:¥26.1256
2,500:¥18.8258
参考库存:57094
无线和射频半导体
射频混合器 BiCMOS MMIC Mix w/Int LO amp, 2.0-2.7GHz
500:¥116.5708
参考库存:57099
无线和射频半导体
射频放大器 500-4000MHz IL <3dB Max. Attn >28dB SMA
1:¥16,037.9657
参考库存:57104
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TetreFET 40W-12V- 1.0GHz
1:¥1,139.6954
10:¥1,004.1406
25:¥893.265
50:¥800.831
参考库存:57109
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    50万现货SKU

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